ROHM SEMICONDUCTOR

Диод RB218T100NZC9

Фото уточняется

Type of diode: Schottky rectifying
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 110 V
Load current: 20 A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 0.87 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RB218T100NZC9
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of diode	Schottky rectifying
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	110 V
Load current	20 A
Semiconductor structure	common cathode
Max. forward voltage	0.87 V
Max. forward impulse current	100 A
Leakage current	7 µA

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; THT; 110V; 20A; Ufmax: 870mV; Ir: 7uA

Документация

Документы пока не предоставлены.