Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Диод RB088BGE150TL

RB088BGE150TL
Type of diode
Schottky rectifying
Корпус
DPAK, TO252
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
150 V
Load current
10 A
Semiconductor structure
common cathode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRB088BGE150TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of diodeSchottky rectifying
КорпусDPAK, TO252
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage150 V
Load current10 A
Semiconductor structurecommon cathode
Max. forward voltage0.88 V
Leakage current15 µA
Max. forward impulse current50 A
Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; DPAK,TO252; SMD; 150V; 10A

Документация

Документы пока не предоставлены.