ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RAQ045P01TCR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RAQ045P01TCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-4.5A
Pulsed drain current	-18A
Power dissipation	1.25W
Корпус	TSMT6
On-state resistance	0.1Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	40nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; TSMT6

Документация

Документы пока не предоставлены.