ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RA1C030LDT5CL
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 20 V
- Drain current
- 3 A
- Power dissipation
- 1 W
- On-state resistance
- 0.14 Ω
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 14 490 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%26,98 ₽
Сумма · с НДС 22%13 058,32 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 484 | 26,98 ₽ | |
| от 500 | 24,90 ₽ | |
| от 1000 | 23,58 ₽ | |
| от 4000 | 22,45 ₽ | |
| от 10000 | 22,07 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RA1C030LDT5CL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 20 V |
| Drain current | 3 A |
| Power dissipation | 1 W |
| On-state resistance | 0.14 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 1.5nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 20V; 3A; 1W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.