Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8019KNXC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
800 V
Drain current
19 A
Power dissipation
83 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
265 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 976 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%848,20 ₽

Сумма · с НДС 22%15 267,60 ₽

От 18 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18848,20 ₽
от 30741,00 ₽
от 50718,43 ₽
от 100703,39 ₽
от 200626,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR8019KNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage800 V
Drain current19 A
Power dissipation83 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance265 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 800V; 19A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.