ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8010ANX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±30V
Монтаж: THT — в отверстия

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	R8010ANX
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Drain-source voltage	800V
Drain current	10A
Power dissipation	40W
Gate-source voltage	±30V
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	62nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 800V; 10A; 40W

Документация

Документы пока не предоставлены.