Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8009KNXC7G

R8009KNXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
27 A
Power dissipation
59 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR8009KNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current9 A
Pulsed drain current27 A
Power dissipation59 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 27A; 59W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.