Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8008ANJGTL

R8008ANJGTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
195 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR8008ANJGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation195 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.54 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 195W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.