Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8007AND3FRATL

R8007AND3FRATL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
800 V
Drain current
7 A
Power dissipation
140 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 435 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%647,73 ₽

Сумма · с НДС 22%14 897,79 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 23647,73 ₽
от 30537,56 ₽
от 50514,76 ₽
от 100499,57 ₽
от 300438,78 ₽
от 500436,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR8007AND3FRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage800 V
Drain current7 A
Power dissipation140 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 800V; 7A; 140W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.