Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8005ANJGTL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Power dissipation
120 W
Корпус
PG-TO263-3
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%435,98 ₽

Сумма · с НДС 22%15 259,30 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 35435,98 ₽
от 50305,38 ₽
от 100286,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR8005ANJGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Power dissipation120 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 800V; 5A; 120W; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.