Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8005ANJFRGTL

R8005ANJFRGTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
120 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR8005ANJFRGTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation120 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 10A; 120W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.