Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8002KND3TL1

R8002KND3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1.6A
Pulsed drain current
4.8A
Power dissipation
30W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR8002KND3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.6A
Pulsed drain current4.8A
Power dissipation30W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.6A; Idm: 4.8A; 30W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.