Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R8002CND3FRATL

R8002CND3FRATL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
8 A
Power dissipation
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR8002CND3FRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation69 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; Idm: 8A; 69W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.