Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6576KNZ4C13

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
76 A
Power dissipation
735 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
46 mΩ

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 11 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 592,85 ₽

Сумма · с НДС 22%15 557,10 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 62 592,85 ₽
от 102 425,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6576KNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current76 A
Power dissipation735 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge165nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 76A; 735W

Документация

Документы пока не предоставлены.