ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор R6576KNZ4C13
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 76 A
- Power dissipation
- 735 W
- Gate-source voltage
- ±20 V
- On-state resistance
- 46 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 11 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 592,85 ₽
Сумма · с НДС 22%15 557,10 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 6 | 2 592,85 ₽ | |
| от 10 | 2 425,75 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | R6576KNZ4C13 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 76 A |
| Power dissipation | 735 W |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 46 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 165nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 650V; 76A; 735W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.