Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6576ENZ4C13

R6576ENZ4C13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
76 A
Pulsed drain current
228 A
Power dissipation
735 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6576ENZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current76 A
Pulsed drain current228 A
Power dissipation735 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.