Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6535KNZ4C13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650V
Drain current
35A
Power dissipation
379W
Gate-source voltage
±20V
On-state resistance
0.115Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6535KNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650V
Drain current35A
Power dissipation379W
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.115Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 35A; 379W

Документация

Документы пока не предоставлены.