Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6530KNZ4C13

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Power dissipation
305 W
On-state resistance
0.14 Ω
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 143,74 ₽

Сумма · с НДС 22%14 868,62 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 131 143,74 ₽
от 301 033,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6530KNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Power dissipation305 W
On-state resistance0.14 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 305W

Документация

Документы пока не предоставлены.