Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6530ENZ4C13

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
305 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
0.14 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 125,20 ₽

Сумма · с НДС 22%14 627,60 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 131 125,20 ₽
от 301 016,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6530ENZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность305 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 305W

Документация

Документы пока не предоставлены.