Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6524KNZ4C13

R6524KNZ4C13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
72 A
Power dissipation
245 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6524KNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Pulsed drain current72 A
Power dissipation245 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.34 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.