Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6520KNZ4C13

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Power dissipation
231 W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%880,44 ₽

Сумма · с НДС 22%14 967,48 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17880,44 ₽
от 30768,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6520KNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Power dissipation231 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 20A; 231W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.