Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6520KNX3C16

R6520KNX3C16
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
60 A
Power dissipation
220 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6520KNX3C16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation220 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.