Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6515KNXC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
15 A
Рассеиваемая мощность
60 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
315 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 464 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%371,34 ₽

Сумма · с НДС 22%14 482,26 ₽

От 39 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 39371,34 ₽
от 50352,58 ₽
от 100333,83 ₽
от 300290,69 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6515KNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current15 A
Рассеиваемая мощность60 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance315 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; 60W

Документация

Документы пока не предоставлены.