Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6515KNX3C16

R6515KNX3C16
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
15 A
Power dissipation
161 W
Корпус
TO220AB
Gate-source voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 50 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%378,02 ₽

Сумма · с НДС 22%14 742,78 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 39378,02 ₽
от 50355,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6515KNX3C16
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current15 A
Power dissipation161 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance315 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; 161W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.