Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6515ENXC7G

R6515ENXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
15 A
Pulsed drain current
45 A
Power dissipation
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6515ENXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current15 A
Pulsed drain current45 A
Power dissipation60 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.56 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 45A; 60W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.