Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6515ENJTL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
15 A
Power dissipation
184 W
Корпус
PG-TO263-3
On-state resistance
315 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6515ENJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current15 A
Power dissipation184 W
КорпусPG-TO263-3
On-state resistance315 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 15A; 184W; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.