Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6511ENJTL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
124 W
Корпус
PG-TO263-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%532,63 ₽

Сумма · с НДС 22%14 913,64 ₽

От 28 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 28532,63 ₽
от 30423,85 ₽
от 50401,35 ₽
от 100386,34 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6511ENJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Рассеиваемая мощность124 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 11A; 124W; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.