Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6509KNXC7G

R6509KNXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
27 A
Power dissipation
48 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6509KNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current9 A
Pulsed drain current27 A
Power dissipation48 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.