Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6509ENJTL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650V
Drain current
9A
Power dissipation
94W
Корпус
PG-TO263-3
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6509ENJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650V
Drain current9A
Power dissipation94W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 9A; 94W; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.