Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6509END3TL1

R6509END3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
9 A
Power dissipation
94 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%308,25 ₽

Сумма · с НДС 22%15 104,25 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 49308,25 ₽
от 50221,56 ₽
от 100204,22 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6509END3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current9 A
Power dissipation94 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance585 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 9A; 94W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.