Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6507KNJTL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
7 A
Power dissipation
78 W
Корпус
PG-TO263-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%350,64 ₽

Сумма · с НДС 22%15 077,52 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 43350,64 ₽
от 50325,59 ₽
от 100310,18 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6507KNJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current7 A
Power dissipation78 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 7A; 78W; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.