Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6507ENXC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
7 A
Рассеиваемая мощность
46 W
Gate-source voltage
±20 V
On-state resistance
665 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%204,09 ₽

Сумма · с НДС 22%14 286,30 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 70204,09 ₽
от 100189,38 ₽
от 300178,35 ₽
от 500158,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6507ENXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current7 A
Рассеиваемая мощность46 W
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance665 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 7A; 46W

Документация

Документы пока не предоставлены.