Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6504END3TL1

R6504END3TL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
4A
Pulsed drain current
12A
Power dissipation
58W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6504END3TL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current4A
Pulsed drain current12A
Power dissipation58W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.02Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.