Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6077VNZ4C13

R6077VNZ4C13
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
77 A
Power dissipation
781 W
Корпус
TO247
Gate-source voltage
±30 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 569 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 411,32 ₽

Сумма · с НДС 22%15 524,52 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 111 411,32 ₽
от 301 303,05 ₽
от 501 280,26 ₽
от 601 276,46 ₽
от 1001 137,79 ₽
от 2001 130,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6077VNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current77 A
Power dissipation781 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance51 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge108nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 77A; 781W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.