Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6076ENZ4C13

R6076ENZ4C13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
76A
Pulsed drain current
228A
Power dissipation
735W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6076ENZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current76A
Pulsed drain current228A
Power dissipation735W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20V
On-state resistance85mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.