ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор R6035VNXC7G
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 17 A
- Power dissipation
- 81 W
- Gate-source voltage
- ±30 V
- On-state resistance
- 114 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%571,75 ₽
Сумма · с НДС 22%14 865,50 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 26 | 571,75 ₽ | |
| от 30 | 463,48 ₽ | |
| от 50 | 440,68 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | R6035VNXC7G |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 17 A |
| Power dissipation | 81 W |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 114 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 50nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 600V; 17A; 81W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.