Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6035ENZC17

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600V
Drain current
35A
Power dissipation
120W
Корпус
TO3PF
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6035ENZC17
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600V
Drain current35A
Power dissipation120W
КорпусTO3PF
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.102Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 35A; 120W; TO3PF

Документация

Документы пока не предоставлены.