Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6030KNZ4C13

R6030KNZ4C13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
305 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6030KNZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation305 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 305W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.