Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6030JNZC17

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
93 W
Корпус
TO3PF
Gate-source voltage
±30 V

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 035,17 ₽

Сумма · с НДС 22%14 492,38 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 141 035,17 ₽
от 84930,37 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6030JNZC17
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность93 W
КорпусTO3PF
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance143 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge74nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 93W; TO3PF

Документация

Документы пока не предоставлены.