Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6030JNXC7G

R6030JNXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
90 A
Power dissipation
95 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6030JNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Pulsed drain current90 A
Power dissipation95 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance143 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge74nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.