Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6030ENZC17

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Power dissipation
120 W
Корпус
TO3PF
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 30 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%887,70 ₽

Сумма · с НДС 22%15 090,90 ₽

От 17 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17887,70 ₽
от 30778,61 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6030ENZC17
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Power dissipation120 W
КорпусTO3PF
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge85nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 120W; TO3PF

Документация

Документы пока не предоставлены.