Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6030ENXC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
86 W
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%765,16 ₽

Сумма · с НДС 22%15 303,20 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20765,16 ₽
от 30656,39 ₽
от 50633,88 ₽
от 100617,00 ₽
от 200549,49 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6030ENXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность86 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge85nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 86W

Документация

Документы пока не предоставлены.