Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6025JNXC7G

R6025JNXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
25 A
Pulsed drain current
75 A
Power dissipation
85 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6025JNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current25 A
Pulsed drain current75 A
Power dissipation85 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance182 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.