Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6024ENXC7G

R6024ENXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
24 A
Pulsed drain current
72 A
Рассеиваемая мощность
74 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6024ENXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current24 A
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность74 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.32 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP

Документация

Документы пока не предоставлены.