Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6020YNXC7G

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
12 A
Power dissipation
62 W
Gate-source voltage
±30 V
On-state resistance
0.185 Ω

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%414,09 ₽

Сумма · с НДС 22%14 907,24 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 36414,09 ₽
от 50284,92 ₽
от 100269,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6020YNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current12 A
Power dissipation62 W
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.185 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge28nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.