ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор R6020YNXC7G
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 12 A
- Power dissipation
- 62 W
- Gate-source voltage
- ±30 V
- On-state resistance
- 0.185 Ω
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%414,09 ₽
Сумма · с НДС 22%14 907,24 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 36 | 414,09 ₽ | |
| от 50 | 284,92 ₽ | |
| от 100 | 269,73 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | R6020YNXC7G |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 12 A |
| Power dissipation | 62 W |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.185 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 28nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 600V; 12A; 62W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.