ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор R6020JNZC17
TO3PFИзображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 20 A
- Рассеиваемая мощность
- 76 W
- Корпус
- TO3PF
- Gate-source voltage
- ±30 V
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 165 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%850,97 ₽
Сумма · с НДС 22%15 317,46 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 18 | 850,97 ₽ | |
| от 30 | 742,25 ₽ | |
| от 50 | 719,76 ₽ | |
| от 100 | 702,89 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | R6020JNZC17 |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 20 A |
| Рассеиваемая мощность | 76 W |
| Корпус | TO3PF |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 234 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 45nC |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 600V; 20A; 76W; TO3PF
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.