Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6020FNX

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Gate-source voltage
±30 V
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 500 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%807,86 ₽

Сумма · с НДС 22%15 349,34 ₽

От 19 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19807,86 ₽
от 30699,14 ₽
от 50676,65 ₽
от 100659,78 ₽
от 200586,68 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6020FNX
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Рассеиваемая мощность50 W
Gate-source voltage±30 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 20A; 50W

Документация

Документы пока не предоставлены.