Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6020ENZ4C13

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600V
Drain current
20A
Power dissipation
231W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяR6020ENZ4C13
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600V
Drain current20A
Power dissipation231W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance196mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 20A; 231W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.