Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6020ENJTL

R6020ENJTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
60 A
Рассеиваемая мощность
231 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяR6020ENJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность231 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.36 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.