Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6015KNXC7G

R6015KNXC7G
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
15 A
Рассеиваемая мощность
60 W
Корпус
TO220-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 810 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%540,74 ₽

Сумма · с НДС 22%14 599,98 ₽

От 27 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 27540,74 ₽
от 30432,59 ₽
от 50410,22 ₽
от 100395,30 ₽
от 300344,96 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6015KNXC7G
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current15 A
Рассеиваемая мощность60 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge27.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 15A; 60W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.