Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор R6015KNJTL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
15 A
Power dissipation
184 W
Корпус
PG-TO263-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%309,62 ₽

Сумма · с НДС 22%13 932,90 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 45309,62 ₽
от 50305,82 ₽
от 100298,22 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяR6015KNJTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current15 A
Power dissipation184 W
КорпусPG-TO263-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 15A; 184W; PG-TO263-3

Документация

Документы пока не предоставлены.